存儲(chǔ)芯片進(jìn)入史上最瘋狂時(shí)期。

近半年來(lái)，全球科技媒體對(duì)內(nèi)存、固態(tài)硬盤（NAND Flash）等存儲(chǔ)產(chǎn)品短缺的報(bào)道密集涌現(xiàn)，其態(tài)勢(shì)之猛烈、影響之深遠(yuǎn)，遠(yuǎn)超常規(guī)行業(yè)周期波動(dòng)，有媒體甚至用“切爾諾貝利4號(hào)反應(yīng)堆爆炸式的連鎖災(zāi)難”來(lái)形容這場(chǎng)供應(yīng)鏈危機(jī)。這場(chǎng)短缺并非偶然，核心驅(qū)動(dòng)力是人工智能（AI）產(chǎn)業(yè)的爆炸式增長(zhǎng)——從大模型訓(xùn)練、推理到全球數(shù)據(jù)中心基建的瘋狂擴(kuò)張，正以前所未有的力度吞噬著存儲(chǔ)產(chǎn)能。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的最新報(bào)告顯示，2026年全球生產(chǎn)的內(nèi)存中，高達(dá)70%將被數(shù)據(jù)中心消耗，徹底重塑了全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的供需格局。

此外，據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，OpenAI的“星門”項(xiàng)目日前與和SK海力士簽署了每月高達(dá)90萬(wàn)片DRAM晶圓的供應(yīng)協(xié)議。僅這一數(shù)字，就接近全球DRAM產(chǎn)量的40%。云服務(wù)提供商也在以同樣激進(jìn)的方式鎖定供應(yīng)。報(bào)道指出，高密度NAND產(chǎn)品實(shí)際上已被提前數(shù)月預(yù)訂一空。美光的高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品在2026年前的產(chǎn)能幾乎已全部售罄。合同期限從過(guò)去的一季度延長(zhǎng)至數(shù)年，巨頭們正在源頭進(jìn)行直接采購(gòu)。

此前，這場(chǎng)存儲(chǔ)危機(jī)的討論多局限于科技行業(yè)內(nèi)部，尚未進(jìn)入全球公眾與跨行業(yè)決策層的核心視野。但這一局面正在快速改變，這場(chǎng)由AI引發(fā)的內(nèi)存短缺已突破科技領(lǐng)域邊界，正向汽車、消費(fèi)電子、家電等與普通大眾生活緊密相關(guān)的多個(gè)行業(yè)蔓延，形成跨領(lǐng)域的連鎖沖擊效應(yīng)。

如今幾乎所有東西都需要內(nèi)存，這已是顯而易見的事實(shí)。但即使是電視、藍(lán)牙音箱、機(jī)頂盒等常見的家用電器，甚至是冰箱等“智能”家電，價(jià)格也可能變得極其昂貴。這些產(chǎn)品的利潤(rùn)空間本來(lái)就非常微薄，而像內(nèi)存這樣關(guān)鍵組件的價(jià)格一旦成倍增長(zhǎng)，就意味著制造商愿意或不愿意承擔(dān)的成本，最終只能將這部分成本轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者——前提是他們有足夠的內(nèi)存來(lái)生產(chǎn)這些設(shè)備。

盡管各行各業(yè)的零部件價(jià)格一直在波動(dòng)，但這種波動(dòng)通常是暫時(shí)的，足以維持價(jià)格穩(wěn)定，但這次情況并非如此。黃仁勛認(rèn)為，內(nèi)存的價(jià)格可能會(huì)占到大多數(shù)電子產(chǎn)品價(jià)格的10%，甚至在智能手機(jī)等產(chǎn)品中占到30%。

IDC已更新其2026年預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)智能手機(jī)銷量將下降5%，個(gè)人電腦銷量將下降9%——這些預(yù)測(cè)可能在短短幾個(gè)月內(nèi)就會(huì)進(jìn)一步變化。該公司還將當(dāng)前形勢(shì)稱為供應(yīng)商產(chǎn)能向人工智能數(shù)據(jù)中心的“永久性重新分配”。TrendForce的Avril Wu對(duì)此表示贊同，她“追蹤內(nèi)存行業(yè)近20年，這次的情況確實(shí)不同……這真的是有史以來(lái)最瘋狂的時(shí)期。”

存儲(chǔ)三巨頭，擴(kuò)產(chǎn)加速

三星電子近日已與韓國(guó)土地住宅公社（LH）簽署土地購(gòu)買協(xié)議，莊閑和游戲app正式啟動(dòng)龍仁國(guó)家產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。三星將投資360萬(wàn)億韓元，在約728萬(wàn)平方米的園區(qū)內(nèi)建設(shè)六座晶圓廠，計(jì)劃2026年下半年開工，2031年完工。龍仁項(xiàng)目最初被冠以系統(tǒng)半導(dǎo)體集群的名號(hào)，但隨著2026年AI市場(chǎng)的演進(jìn)，該園區(qū)的戰(zhàn)略定位發(fā)生了實(shí)質(zhì)性的偏移。諸多行業(yè)人士表示，龍仁集群將成為三星電子實(shí)現(xiàn)垂直AI集成（Vertical AI Integration）的核心基地。

傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造模式將存儲(chǔ)器（Memory）和邏輯芯片（Logic）的生產(chǎn)在地理和工藝上嚴(yán)格分離。然而在AI時(shí)代，這種分離帶來(lái)了不可忽視的數(shù)據(jù)傳輸延遲和能耗瓶頸。此前在HBM3E時(shí)代，底部的基礎(chǔ)裸片仍然主要由存儲(chǔ)廠商使用成熟工藝制造。但進(jìn)入HBM4時(shí)代以及未來(lái)，為了處理龐大的I/O吞吐和集成更多的控制邏輯，基礎(chǔ)裸片必須采用先進(jìn)的邏輯工藝（如5nm或4nm）制造。

與此同時(shí)，三星此前因半導(dǎo)體周期下行而暫停的P5工廠建設(shè)也已全面重啟，三星已啟動(dòng)為P5訂購(gòu)包括氣體、化學(xué)供應(yīng)系統(tǒng)在內(nèi)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備招標(biāo)，目標(biāo)是在2028年實(shí)現(xiàn)全面運(yùn)營(yíng)。通常情況下，設(shè)備訂單會(huì)在框架搭建完成后才下達(dá)，但此次為了加快批量生產(chǎn)進(jìn)度，三星據(jù)稱將采取“快速通道”策略，即框架搭建、設(shè)備訂購(gòu)和安裝工作同步進(jìn)行。

SK海力士則選擇與臺(tái)積電結(jié)成深度聯(lián)盟。鑒于HBM4的基礎(chǔ)裸片需要采用先進(jìn)邏輯工藝（如12nmFFC及N5/N3工藝）以集成更多控制邏輯，SK海力士并未像三星那樣試圖自己解決所有問(wèn)題，而是選擇將其存儲(chǔ)技術(shù)與臺(tái)積電的CoWoS封裝工藝及邏輯制程進(jìn)行深度耦合。SK海力士的產(chǎn)能擴(kuò)張策略具有極強(qiáng)的針對(duì)性，幾乎完全服務(wù)于HBM等高附加值產(chǎn)品。為了應(yīng)對(duì)NVIDIA對(duì)HBM4的迫切需求，SK海力士將M15X的量產(chǎn)時(shí)間表從原計(jì)劃的2026年6月提前至2026年2月。這座工廠被明確定義為HBM4等DRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)基地，將專注于生產(chǎn)制造HBM4所需的1b納米（第五代10納米級(jí)）及未來(lái)的1c納米DRAM顆粒。初始產(chǎn)能規(guī)劃為每月1萬(wàn)片晶圓，但計(jì)劃在2026年底前迅速擴(kuò)展至多倍規(guī)模。

美光在2026財(cái)年展現(xiàn)出更具侵略性的擴(kuò)張姿態(tài)，在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上，美光計(jì)劃將2026財(cái)年的資本支出增加至約200億美元，高于此前估計(jì)的180億美元。這一增量資金將集中用于兩點(diǎn)：擴(kuò)充HBM封裝產(chǎn)能，以及加速1-gamma（1γ）工藝節(jié)點(diǎn)的全面鋪開。

位于博伊西總部的ID2晶圓廠項(xiàng)目被確立為最高優(yōu)先級(jí)。美光將原計(jì)劃投入紐約的部分資源重新調(diào)配至此，目標(biāo)是將ID2打造為全球唯一的“研發(fā)+量產(chǎn)”一體化超級(jí)中心。截至2026年1月，ID2主體建設(shè)已進(jìn)入沖刺階段，預(yù)計(jì)將于2026年內(nèi)啟動(dòng)設(shè)備安裝，并鎖定在2027年實(shí)現(xiàn)有意義的DRAM產(chǎn)出。

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